Модуль памяти 2Gb SO-DDR3 1600MHz Samsung
Модуль памяти 2Gb SO-DDR3 1600MHz Samsung
Цена:
590 Р
Характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Показать полностью
Свернуть описание
- Производитель
- Объем оперативной памяти
- 2Gb
- Тип памяти
- DDR3 SO-DIMM
- Частота памяти?
- 1600MHz
18:06:45 - 21.12.2024
18:06:45 - 21.12.2024
