![LOGO3.png LOGO3.png](/upload/medialibrary/e24/e24c81959870e1d37db4be679d161a3c.png)
Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW M.2 PCI-e
Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW M.2 PCI-e
![Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW M.2 PCI-e купить в Инфотех Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW M.2 PCI-e купить в Инфотех](/upload/resizer2/14/f60/f603a56e742976784186ef3a1c8a4139.jpg)
Цена:
11 450 Р
Характеристики
Бренд Samsung
Линейка 970 EVO Plus
Емкость 1 ТБ
Тип флэш-памяти V-NAND 3-bit MLC
Контроллер Samsung Phoenix
Назначение внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, для систем видеонаблюдения, игровой, Клиентские ПК
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейсы PCI-E, SATA 6Gb/s, PCI-E 3.x x4, m2
Разъем M.2
Тип разъема M.2 2280, M
Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4
Макс. скорость интерфейса 3500 МБ/с
Объем буфера 1024 МБ
Скорость чтения 3500 МБ/с
Скорость записи 3300 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) 550000 IOPS
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Время наработки на отказ 1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW) 600 ТБ
Поддержка технологий NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных, NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных
Макс. рабочая температура 70 °C
Потребляемая мощность 6 Вт
Высота 2.38 мм
Длина 100 мм
Ширина 6.8 мм
Вес 8 г
Линейка 970 EVO Plus
Емкость 1 ТБ
Тип флэш-памяти V-NAND 3-bit MLC
Контроллер Samsung Phoenix
Назначение внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, для систем видеонаблюдения, игровой, Клиентские ПК
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейсы PCI-E, SATA 6Gb/s, PCI-E 3.x x4, m2
Разъем M.2
Тип разъема M.2 2280, M
Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4
Макс. скорость интерфейса 3500 МБ/с
Объем буфера 1024 МБ
Скорость чтения 3500 МБ/с
Скорость записи 3300 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) 550000 IOPS
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Время наработки на отказ 1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW) 600 ТБ
Поддержка технологий NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных, NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных
Макс. рабочая температура 70 °C
Потребляемая мощность 6 Вт
Высота 2.38 мм
Длина 100 мм
Ширина 6.8 мм
Вес 8 г
Показать полностью
Свернуть описание
05:38:08 - 08.09.2024
05:38:08 - 08.09.2024